在 DC/AC 逆变 阶段,长芯提供 4 种拓扑结构的解决方案,包括两电平、三电平 NPC1、三电平 NPC2 和三电平ANPC,三电平拓扑因其效率更高而逐步成为产业趋势;
对于1000V 光伏阵列系统,主要采用三电平 NPC1 或 NPC2 拓扑:
三电平 NPC1 可使用 650V 功率器件,可工作在 超过20Khz 的开关频率下;
三电平 NPC2 需同时使用 650V 和 1200V 功率器件,适合于器件工作在小于 20Khz 的开关频率下;
在1500V 光伏系统中,三电平 ANPC 因较高可靠性和在全功率因数运行范围内均有较高的效率;
单相组串式逆变器单管方案
Topo | 产品 | Part number | Package | Technical specification |
DC-C | 高频IGBT单管 | FGWB40N65G7 | TO247 3-pin | 650 V (VCE), 40 A (ICV), 1.35 V (VCE(sat), TVJ=25°C), 175°C (TVJmax) |
FGWB50N65G7 | TO247 4-pin | 650 V (VCE), 50 A (IC), 1.35 V (VCE(sat), TVJ=25°C), 175°C (TVJmax) | ||
FGWC75N65G7 | TO247 4-pin | 650 V (VCE), 75 A (IC), 1.1 V (VCE(sat), TVJ=25°C), 175°C (TVJmax) | ||
FGWB50N65G7 | TO247 3-pin | 650 V (VCE), 50 A (IC), 1.35 V (VCE(sat), TVJ=25°C), 175°C (TVJmax) | ||
SJMOS单管 | FSWB65R029T3 | TO247 3-pin | 650 V (VDS max.), 29 mΩ (RDS(on)max.) | |
FSWB65R018T3 | TO247 4-pin | 650 V (VDS max.), 18 mΩ (RDS(on)max.) | ||
FSWB65R018T3 | TO247 3-pin | 650 V (VDS max.), 18 mΩ (RDS(on)max.) | ||
FSWBC65R041T3 | TO247 3-pin | 650 V (VDS max.), 41 mΩ (RDS(on)max.) | ||
SiC单管 | FCDB65R027T3 | FD2PAK 7-pin | 650 V (VDS max.), 27 mΩ (RDS(on)max.) | |
FCDB65R048T3 | FD2PAK 7-pin | 650 V (VDS max.), 48 mΩ (RDS(on)max.) |
对于单相组串式逆变器 DC/AC 逆变阶段,主要采取分立器件方案。目前主要是4 种拓扑结构的方案,包括传统的两电平拓扑和近年的HERIC、 H6 和多电平拓扑,其效率更高、系统成本更低、尺寸小巧和轻便性而被应用;(传统的两电平应效率较低,多电平应设计器件太多,对控制设计要求太高)
通常单相组串式逆变器连接到 600V 光伏阵列采用 HERIC 和 H6 拓扑结构。逆变器需要更高的开关操作以减小系统的尺寸和成本。
逆变器功率低于 250kW 时,选用 62FM 模块产 品;
当功率低于 500kW 时,选用 EFD3 模块;
当功率达到 800kW 时,选用 PP3 3 模块;
当功率超过 1000kW 时,选用 PP3 3+模块。
350kW光伏逆变器方案
阶段 | 开关频率 | 器件 | 型号 | 数量 |
DC-DC | up to 30 kHz | 升压斩波SiC模组 | DFM4-19MR120W3G7 | 3 |
DC-C | up to30 kHz | 3L模组 ,Easy 3B, ANPC | FM3L600R10W4G7H | 3 |
逆变 | ||||
辅助电源 | - | 单管1.7 kV SiC MOS | FCWB170R450F2 | 3 |
全SiC模组 +G7芯片高频IGBT三电平ANPC模组,实现最高能量密度的逆变功能
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