功率单管产品布局图
※ TOLT和QDPAK作为最新的表面散热封装工艺,相比较传统的TO252和TO247有极大的性价比优势;
※ 公司率先将其应用于中大功率的SiC和IGBT产品上
分立器件命名规则
FC | X | X | X | X | X | X | X |
FC:长芯单管 | 产品类型 | 电压/10 | R:内阻 | 阻值*10 | 芯片技术 | 补充 | 封装 |
S:超结MOS | N:电流 | 电流值 | T3:长芯第三代沟槽技术 | H:混合SiC FRD | S+数字:SOP | ||
C:SiC MOS | F2:第二代SiC技术 | WA/B/C:TO247-2/3/4 | |||||
G:IGBT | G7:第七代IGBT技术 | A:TO220 | |||||
1N9:FRD | G7:第七代IGBT技术 | B:TO263 | |||||
T:SGT MOS | C:TO252 | ||||||
T:SGT MOS | FD56/88:DFMN5X6/8X8 | ||||||
T1:TOLL | |||||||
T2:TOLT | |||||||
P-1/2/4:DPAK/FD2PAK/QDPAK |
邮箱:sales@foreverchip.com.cn
地址:南京市溧水经济开发区福田路1号汇智产业园科创大厦A座116室