分立器件及驱动芯片

功率单管产品布局图

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※ TOLT和QDPAK作为最新的表面散热封装工艺,相比较传统的TO252和TO247有极大的性价比优势; 

※ 公司率先将其应用于中大功率的SiC和IGBT产品上


分立器件命名规则

FC

X

X

X

X

X

X

X

FC:长芯单管

产品类型

电压/10

R:内阻

阻值*10

芯片技术

补充

封装


S:超结MOS


N:电流

电流值

T3:长芯第三代沟槽技术

H:混合SiC FRD

S+数字:SOP


C:SiC MOS




F2:第二代SiC技术


WA/B/C:TO247-2/3/4


G:IGBT




G7:第七代IGBT技术


A:TO220


1N9:FRD




G7:第七代IGBT技术


B:TO263


T:SGT MOS






C:TO252


T:SGT MOS






FD56/88:DFMN5X6/8X8








T1:TOLL








T2:TOLT








P-1/2/4:DPAK/FD2PAK/QDPAK


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邮箱:sales@foreverchip.com.cn

地址:南京市溧水经济开发区福田路1号汇智产业园科创大厦A座116室

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